美国银行最新分析显示，SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，可能仅为原计划的六分之一，这一判断不仅令韩国政府的产能扩张蓝图大打折扣，更为正在进行中的DRAM价格操纵集体诉讼提供了关键佐证。
据韩国媒体援引美国银行近期报告，受旧厂关闭、技术升级及制程微缩等因素影响，韩国每年实际可增加的运营存储晶圆产能不足10%，这意味着到2030年的产能增量将远低于韩国总统李在明此前设定的"2030年产能翻倍"目标。存储芯片行业知情人士进一步指出，SK海力士至2028年新增产能或仅相当于原计划的六分之一。
这一判断直接冲击DRAM市场的供给预期。与此同时，三星、SK海力士与美光三家公司已于今年6月25日在美国加利福尼亚州联邦法院遭到集体诉讼，指控三方串谋操纵DRAM价格。分析认为，SK海力士产能扩张严重滞后的现实，将进一步削弱三大厂商在诉讼中的抗辩空间。
产能扩张时间线远超预期韩国总统李在明此前积极推介三星与SK海力士分别在该国西南部光州（Gwangju）和全罗（Jeolla）兴建的大型晶圆厂，将其作为实现"2030年产能翻倍"目标的核心支撑。然而，美国银行的分析揭示，这一乐观预期与现实之间存在巨大落差。
据存储芯片行业知情人士，仅完成光州和全罗厂区的地基建设就需约五年时间，此后还需三至四年用于洁净室搭建及芯片制造设备安装。完整建立两处厂区的制造生态系统，预计耗时将超过十年。
在考量旧厂因技术升级而关闭所带来的产能缩减后，韩国每年净增运营存储晶圆产能不足10%，累计增幅至2030年将显著低于政府既定目标。
供给收缩逻辑支撑诉讼指控今年6月25日，三星、SK海力士与美光在加利福尼亚州联邦法院遭到集体诉讼。诉讼主张代表近期DRAM价格上涨期间购买含商用DRAM产品的消费者及企业群体，指控三家公司凭借其在全球DRAM市场的主导地位，以向AI关键高带宽存储器（HBM）战略转型为由，协调削减DDR3、DDR4等传统存储格式的生产，人为推高价格。
美国银行报告所揭示的产能扩张滞后问题，与上述诉讼的核心逻辑形成呼应。若SK海力士至2028年的新增产能仅为原计划的六分之一，则"新产能即将大规模入市"的市场叙事将难以成立，这也使三大厂商在诉讼中关于供给受制于客观因素的抗辩面临更大压力。
供给紧张或将持续上述分析进一步强化了存储芯片供给长期偏紧的判断。SK海力士首席执行官此前已公开警告，2027年将是存储行业"有史以来最糟糕的一年"，短缺局面可能延续至2030年代。
对于投资者而言，存储产能实质性扩张的时间节点被大幅后推，意味着DRAM价格在较长周期内仍将受到供给侧制约。与此同时，集体诉讼的推进走向，将成为影响三星、SK海力士及美光估值与市场预期的重要变量。
风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。永旺配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
